Setup for an Experimental Study of Radiation Effects in 65nm CMOS

• https://ieeexplore.ieee.org/document/8049805

Integrated circuit modeling, Field programmable gate arrays, Particle beams, Radiation effects, Transistors, Atmospheric modeling, Very large scale integration

Reálně prováděné radiační experimenty představují důležitý prostředek pro kalibraci simulačních modelů sloužících k analýze vlivu ionizovaných částic na chování VLSI obvodů. Nicméně realizace takovýchto experimentů musí být velmi dobře navržena a vyžaduje velmi specifické vybavení. Cílem tohoto příspěvku je představit takovouto experimentální aparaturu a poukázat na její specifické detaily. Vedle nástinu celkového kontextu, do nějž jsou zasazeny dílčí cíle prováděných experimentů, definice uvažovaných zdrojů radiace a popisu architektury ASIC obvodu coby cílové testovací platformy bude věnována pozornost i důležité komunikační infrastruktuře pro podporu provádění experimentů. Zejména se jedná o systém na bázi FPGA obvodu sloužící pro přenos dat po jejich předzpracování přímo na cílovém ASIC obvodu na platformu PC k další analýze. V neposlední řadě bude popsána i technické řešení nosné desky pro cílový ASIC obvod a specializovaná propojovací kabeláž.