Detail výsledku

Semiconductor devices simulation using drift diffusion scheme

POKORNÝ, M.; RAIDA, Z. Semiconductor devices simulation using drift diffusion scheme. In Sborník příspěvků konference ZVŮLE 2008. Brno: VUT v Brně, FEKT, 2008. p. 200-203. ISBN: 978-80-214-3709-8.
Typ
článek ve sborníku konference
Jazyk
angličtina
Autoři
Pokorný Michal, Ing., Ph.D., UREL (FEKT)
Raida Zbyněk, prof. Dr. Ing., UREL (FEKT)
Abstrakt

The paper deals with the numerical modeling of the semiconductor devices. The drift-diffusion macro model of the free carriers transport is discussed and combined with the Poisson equation to evaluation of device features. The thermal phenomenon is considered in correct physical model of the power components. The basic semiconductor equations are summarized, and modeling issues are discussed. The demonstrative simulation of the Gunn diode is performed in COMSOL Multiphysics computation environment using finite element method.

Klíčová slova

Gunn effect, FEM, COMSOL, drift-diffusion scheme, multi-physical model.

Rok
2008
Strany
200–203
Sborník
Sborník příspěvků konference ZVŮLE 2008
Konference
IEEE Workshop Zvůle 2008
ISBN
978-80-214-3709-8
Vydavatel
VUT v Brně, FEKT
Místo
Brno
BibTeX 
@inproceedings{BUT27691,
  author="Michal {Pokorný} and Zbyněk {Raida}",
  title="Semiconductor devices simulation using drift diffusion scheme",
  booktitle="Sborník příspěvků konference ZVŮLE 2008",
  year="2008",
  pages="200--203",
  publisher="VUT v Brně, FEKT",
  address="Brno",
  isbn="978-80-214-3709-8"
}
Pracoviště
Ústav radioelektroniky (UREL)
Nahoru