Detail publikace

Advanced VLSI Circuits Simulation

KOCINA, F.; KUNOVSKÝ, J. Advanced VLSI Circuits Simulation. In Proceedings of the 2017 International Conference on High Performance Computing & Simulation (HPCS 2017). Genoa: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2017. p. 526-533. ISBN: 978-1-5386-3250-5.
Název česky
Pokročilá simulace VLSI obvodů
Typ
článek ve sborníku konference
Jazyk
anglicky
Autoři
Kocina Filip, Ing., Ph.D.
Kunovský Jiří, doc. Ing., CSc.
URL
Klíčová slova

simulace obvodů, VLSI obvody, metoda Taylorovy řady, počáteční úlohy

Abstrakt

Článek se zabývá velmi přesnou a efektivní simulací CMOS tranzistorů, které se používají ke konstrukci základních logických hradel (invertor, NAND a NOR) a hradel z nich složených (XOR, AND, OR). Tranzistory jsou nahrazeny obvodem rezistor-kondenzátor (RC) a obvod je popsán systémem diferenciálních algebraických rovnic (DAE). Tyto rovnice jsou numericky řešeny Moderní metodou Taylorovy řady (MTSM) s proměnným krokem a proměnným řádem. Stejný přístup lze použít pro simulaci VLSI obvodů - autor implementoval simulátor VLSI obvodů ve všestranně použitelném programovacím jazyce. Tento přístup je rychlejší než běžně používané nástroje (SPICE) a využívá méně paměti.

Rok
2017
Strany
526–533
Sborník
Proceedings of the 2017 International Conference on High Performance Computing & Simulation (HPCS 2017)
ISBN
978-1-5386-3250-5
Vydavatel
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Místo
Genoa
DOI
10.1109/HPCS.2017.84
UT WoS
000425930800071
EID Scopus
2-s2.0-85032382530
BibTeX 
@inproceedings{BUT163432,
  author="Filip {Kocina} and Jiří {Kunovský}",
  title="Advanced VLSI Circuits Simulation",
  booktitle="Proceedings of the 2017 International Conference on High Performance Computing & Simulation (HPCS 2017)",
  year="2017",
  pages="526--533",
  publisher="Institute of Electrical and Electronics Engineers",
  address="Genoa",
  doi="10.1109/HPCS.2017.84",
  isbn="978-1-5386-3250-5",
  url="https://ieeexplore.ieee.org/document/8035123"
}
Nahoru