Detail publikace
Setup for an Experimental Study of Radiation Effects in 65nm CMOS
Steininger Andreas, prof. Dr. (TU-Wien)
Šimek Václav, Ing. (UPSY FIT VUT)
Veeravalli Varadan S. (TU-Wien)
Reálně prováděné radiační experimenty představují důležitý prostředek pro kalibraci simulačních modelů sloužících k analýze vlivu ionizovaných částic na chování VLSI obvodů. Nicméně realizace takovýchto experimentů musí být velmi dobře navržena a vyžaduje velmi specifické vybavení. Cílem tohoto příspěvku je představit takovouto experimentální aparaturu a poukázat na její specifické detaily. Vedle nástinu celkového kontextu, do nějž jsou zasazeny dílčí cíle prováděných experimentů, definice uvažovaných zdrojů radiace a popisu architektury ASIC obvodu coby cílové testovací platformy bude věnována pozornost i důležité komunikační infrastruktuře pro podporu provádění experimentů. Zejména se jedná o systém na bázi FPGA obvodu sloužící pro přenos dat po jejich předzpracování přímo na cílovém ASIC obvodu na platformu PC k další analýze. V neposlední řadě bude popsána i technické řešení nosné desky pro cílový ASIC obvod a specializovaná propojovací kabeláž.
@INPROCEEDINGS{FITPUB12248, author = "Bernhard Fritz and Andreas Steininger and V\'{a}clav \v{S}imek and S. Varadan Veeravalli", title = "Setup for an Experimental Study of Radiation Effects in 65nm CMOS", pages = "329--336", booktitle = "2017 20th Euromicro Conference on Digital System Design (DSD)", year = 2017, location = "Vienna, AT", publisher = "IEEE Computer Society", ISBN = "978-1-5386-2146-2", doi = "10.1109/DSD.2017.60", language = "english", url = "https://www.fit.vut.cz/research/publication/12248" }