Detail produktu

Hybridní platforma s multifunkčními obvodovými komponentami

Vznik: 2016

Název anglicky
Hybrid platform with multifunctional circuit components
Typ
funkční vzorek
Licence
Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence
Licenční poplatek
Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek
Autoři
Klíčová slova

Organická elektronika, ambipolarita, polymorfní elektronika, multifunkční obvody,
čip expandér, organický tranzistor, hybridní integrace, LOFET.

Popis

Elektrické obvody vytvořené na bázi pestré škály organických materiálů, které
vykazují vlastnosti polovodičů, jsou stále vnímány coby poněkud neobvyklý přístup
z pohledu návrhu i jejich samotné realizaci. Nicméně je možné v tomto způsobu
řešení rozpoznat mnoho aspektů přinášejících celou řadu výhod. Materiály
nacházející uplatnění v oblasti organické elektroniky jsou typicky lehčí,
flexibilnější, snáze se s nimi pracuje a v konečném důsledku je lze označit i za
méně nákladné ve srovnání tradičními anorganickými materiály, které jsou ve
spojitosti s elektronikou běžně používány (např. měď a křemík tvořící oporu
konvenčního CMOS procesu).

V odborné literatuře již dříve publikované výsledky z této oblasti naznačují, že
jistá množina organických materiálů by mohla být s úspěchem použita pro
konstrukci tranzistorů řízených polem (OFET), které vykazují do jisté míry
neobvyklou schopnost ambipolárního přenosu elektrického náboje. V případě
základních elektronických struktur tohoto typu se rovněž otevírají možnosti
jejich uplatnění coby klíčových komponent pro oblast takzvaných multifunkčních
logických prvků nebo dokonce nepoměrně komplexnějších polymorfních obvodů.

Pro účely demonstrace vlastností samotných ambipolárních tranzistorů i reálných
multifunkčních obvodových bloků byla vyvinuta hybridní platforma na bázi
substrátu LOFET3, na němž je k dispozici pomocí lift-off techniky zhotovená
základní elektrodová infrastruktura (pro tranzistory, invertory, registry a další
obvodové prvky). V tomto případě postačovalo po samotném sejmutí krycího resistu
z povrchu LOFET3 substrátu vhodnou metodou, např. PVD procesem či tzv.
spin-coatingem, nanést aktivní organickou vrstvu a následně ji překrýt ochranným
materiálem (např. PMMA).

Umístění

Ústav počítačových systémů, Fakulta informačních technologií VUT v Brně, Božetěchova 2, 612 66 Brno

Soubory
Projekty
Nekonvenční návrhové techniky pro číslicové obvody s vlastní rekonfigurací: od materiálů k implementaci, MŠMT, COST CZ (2011-2017), LD14055, zahájení: 2014-05-05, ukončení: 2017-05-31, ukončen
Výzkumné skupiny
Pracoviště
Nahoru